（本网讯）近日，白俄罗斯国立信息技术和无线电电子大学Golosov Dmitriy，Zavadski Sergey，Melnikau Siarhei三位专家来我校就电信学院高嵩教授主持的国家重点研发计划重点专项项目“太阳能增透与并网逆变关键技术”开展合作研究与学术交流。

期间，项目负责人高嵩教授向白方专家介绍了项目的总体进展情况，双方围绕项目中“光伏板薄膜制备技术和提高光伏电池转换效率等问题”开展了深入的研讨并对今后要开展工作进行了认真的梳理和分析。双方在进行充分研讨和交流的基础上提出要严格按照任务书要求开展研究，把握好项目研究内容的进度与节点，进一步细化任务书中的技术指标。

白方专家在项目组的陪同下还参观了我校的“自主系统与智能控制国际联合研究中心”“薄膜与等离子体技术实验室”和“微纳与超精密制造实验室”，白方专家对我校的科研条件、成果及创新性人才培养给予了充分的肯定。

Golosov Dmitriy博士于工5-404教室作了题为《Ion-beam technology for deposition of SiON thin films and ion etching》的学术报告，主要针对离子束溅射沉积SiON薄膜的制备技术和刻蚀工艺展开了详细介绍，深入浅出，旁征博引，使在场师生受益匪浅。

本次科研合作与交流对我校牵头负责的国家重点研发计划项目研究工作的开展起到了极大的促进作用，专家们表示，愿意与我校继续开展更多的科研合作与国际交流，同时欢迎我校师生赴白俄罗斯进行访问。

       文：陈超波  图：李进 李继超  编辑：党委宣传部（新闻中心）  编辑：周倩